市場前低小破與大黑 K 出現後進入預設的抄底條件，開始以台指期與正二分批拉高曝險，避免美股提前反彈造成錯失買點。記憶體維持健康，旺宏供應 MLC廠商呈現優勢；被動元件因電容調漲與 TLVR 電感缺口維持強勢，但股價偏高，採恐慌急殺再介入策略。櫃買指數年初至今轉負，盤面呈現少數族群撐盤的失衡狀態；融資跳樓顯示恐慌升高，使櫃買成為優先尋找低檔機會的區塊。AWS 供應鏈因 Trainium Free 延宕傳聞震盪，但實際問題可能集中在封裝調整，十二月 Amazon 活動前若再現錯殺，可列為高風險觀察標的。
被動元件因 HVDC 與資料中心帶動高值電容、Mega MLCC 需求，上游以日商（Murata／TDK／太陽誘電）領先，台廠國巨續觀察。Nexperia 遭荷蘭接管引發供應受阻，轉單驗證期依應用而異，Diodes、onsemi、Vishay、STM 及台廠強茂、台半、德微、朋程、晶焱等「可能」受惠。力積電稱 Interposer 良率逾 70%（內容中提到），「可能」承接先進封裝外溢，惟仍待實證。
台積電強勢推升指數，但引發「垃圾盤」，中小股轉弱、資金轉向新族群。NVIDIA入股Intel雖引發疑慮，實則有助消除台積電壟斷雜音。新主題聚焦先進封裝、N2概念與被動元件。記憶體報價重啟，DDR4合約價漲20–50%，DDR3因供給退出大漲，全面漲價潮擴及ABF、BT、電容。AI市場傳出Amazon與Anthropic不利消息，但多為放空謠言，實際需求未見下滑。操作上應設停損防呆，並注意新人殺手股、重壓風險。
市場雖有顛簸但資金輪動健康、全面起漲；降息下非必需消費轉佳，電動車方向偏多。記憶體出現報價與停報訊號，推估Q4起缺口放大、明年更明顯；DRAM受HBM需求緊，企業級QLC SSD因CSP需求與HDD緊俏而缺，相關族群已領漲。NVIDIA Rubin CPX為伺服器Tray「額外新增」的GDDR機種，非取代HBM設定，且因不需CoWoS，僅憑CoWoS估出貨將更難。國巨擬以約230元收茂達5～20%，意在由元件升級至模組、並同步擴張MOSFET版圖。