2025 年第三季Hyperscaler 大幅拉升伺服器與 HBM 相關記憶體需求，並將 2026 年 AI 資本支出從原本的低雙位數上修約 40%。Server DRAM 與 HBM 產能優先配置使消費性 DRAM 供給遭到壓縮。 2026，先進製程 DRAM 的位元產出僅成長 15–20%，需求高於 20%，形成長期缺口。HBM 成長率約 40–50%，非 HBM成長動能更強，可達約五成。成熟製程 DRAM 在 2026 上半年價格續漲，但下半年需注意兩大風險。
Apple 意外付費約 10 億美元採用 Google 客製化 Gemini 模型，被視為其加速學習 AI know-how 的過渡策略；同時，Google 在模型和硬體（TPU）供應表現強勢，將其視為值得關注的投資標的。記憶體方面，AI 伺服器需求驅動 HBM/NAND Super Cycle，CSP 巨頭對價格不敏感持續搶貨。原廠如 Samsung、SK Hynix HBM 產能已售罄，SanDisk 看好緊俏至 2026 年底，部分廠商無擴產計畫加劇供需失衡。
第三季起 AI 需求急拉，記憶體成 2026 年半導體設備主要動能：美光明言 2026 年 CapEx 高於 2025，SK hynix 提前為 M15X 進機、三星記憶體營運回升。另一方面，美國撤銷中國 VEU 並擴大限制主體範圍，AMAT／KLA 估 2026 年營收各受數億美元衝擊；Lam 亦稱 2026 年中國占比將低於 30%。Q3 對中交貨短暫暴衝被視為趕交效應，長趨勢仍偏弱。整體看，2026 年晶圓支出結構由先進邏輯轉向記憶體，台積電維持高基期穩健增長。
NVIDIA Rubin CPX 以 128GB GDDR7 與 NVFP4 ~30 PFLOPS 強化長上下文與多模態推論，推動 prefill/decoder 分拆，連帶抬升 SuperNIC/交換器/光電權重。記憶體SanDisk×SK hynix 推進 HBF 標準化，Kioxia 展示 5TB、64 GB/s 原型，定位為 HBM 鄰層擴容。需求端，Veo 3 API 降價並支援 9:16、1080p，且 YouTube Shorts 內建 8 秒 生成，若放量將回流拉動 GPU／網通／記憶體。
TSMC第二季營收年增44%。Micron季增15.5%，SK Hynix季增21.3%，Samsung僅增4.4-6.8%。三星、SK Hynix、美光停產消費性DDR4，推升價格高於DDR5。Meta、Advantest上調資本支出，推升AI供應鏈（如京元電、欣銓）與玻纖布廠。Google AI模式改變SEO邏輯。關稅透支手機、PC需求，聯發科、Dell、HP、Asus、三星下調展望。三星HBM3E削價競爭，2026年HBM4或憑1C製程重返NVIDIA供應鏈。行政院擬採購5萬臺無人機。
Dell財報顯示AI伺服器下滑27.6%，因GB300延至下半年，客戶推遲訂單致上半年空窗，但在手訂單增至90億美元，需求未減。Teradyne財測下修至5-10%，反映GPU與HBM疲軟；K&S垂直打線技術助HBM進消費市場。商用PC受Windows 10換機潮支撐，成長3-5%，但關稅（10%升20%）壓利潤率。GB300技術優勢吸引CSP轉單，推理需求推升吸引力。記憶體市場先下後上，三星承壓，美光與SK海力士受益。下半年GB300放量可望帶動回溫，若市場過悲觀，反彈潛力大。
科林研發 最新季報顯示營收 43.8 億美元，季增 5%，NAND Flash 設備成長 140%，超財測。成長源於海力士（321 層）、三星（400 層）推進製程，而非擴產。減產控供給與設備需求並存，因競爭與 AI 高密度需求，長江存儲（294 層）加壓。KLA 預測 2025 NAND 領跑，產業成長 5%，禁令下修 4%。短期供給穩定，年中或復甦。中期看，記憶體與封裝優於邏輯，科林研發、KLA、Applied Materials 成長性勝 ASML。