市場前低小破與大黑 K 出現後進入預設的抄底條件，開始以台指期與正二分批拉高曝險，避免美股提前反彈造成錯失買點。記憶體維持健康，旺宏供應 MLC廠商呈現優勢；被動元件因電容調漲與 TLVR 電感缺口維持強勢，但股價偏高，採恐慌急殺再介入策略。櫃買指數年初至今轉負，盤面呈現少數族群撐盤的失衡狀態；融資跳樓顯示恐慌升高，使櫃買成為優先尋找低檔機會的區塊。AWS 供應鏈因 Trainium Free 延宕傳聞震盪，但實際問題可能集中在封裝調整，十二月 Amazon 活動前若再現錯殺，可列為高風險觀察標的。
市場資金集中，汰弱留強策略失效，操作轉向尋找短期受害的「右下角」標的。進場須見底形成，就算股價自低點反彈 10–20% 亦須確認。偏好「緩跌後加速重殺」買點，避開創新低陷阱。記憶體報價預期明年 Q1 由強轉穩，群聯以控貨慢出應對；資金外溢至 DDR3 等二三線庫存題材。受害者為研華與網通廠（標案固定價、庫存低易虧），以及 PC/NB 產業（需求弱難轉價）。修復條件為報價橫盤、壞單出清與重新議價。旅遊價格下滑反映非 AI 經濟偏溫，若無 AI 換機奇蹟，復甦仍將緩慢。
Nexperia事件的發展，指出員工對聞泰科技的「掏空」質疑，並從商業及地緣政治角度推測荷蘭政府最終可能逼迫其出售中國以外資產，而非直接沒收。市場轉單已發生，同業股價受自身財報影響雖有修正，但流出的訂單仍是機會。記憶體因三星淡化MLC NAND產能轉向HBM，帶動全線報價上漲。Tesla財報表現穩健，除Optimus稍有延遲，未來重點將鎖定Robotaxi的發展。預期Robotaxi上路初期會因意外引發股價重挫，將是「意外即買點」。
NVIDIA Rubin CPX 以 128GB GDDR7 與 NVFP4 ~30 PFLOPS 強化長上下文與多模態推論，推動 prefill/decoder 分拆，連帶抬升 SuperNIC/交換器/光電權重。記憶體SanDisk×SK hynix 推進 HBF 標準化，Kioxia 展示 5TB、64 GB/s 原型，定位為 HBM 鄰層擴容。需求端，Veo 3 API 降價並支援 9:16、1080p，且 YouTube Shorts 內建 8 秒 生成，若放量將回流拉動 GPU／網通／記憶體。
資金自「老AI／PCB／軍工」撤出，快速轉向記憶體＋晶圓（Si／SiC）。HDD 吃緊外溢至 NAND，美光暫停報價推升 DRAM 氣氛；群聯以財報／籌碼／報價題材一次到價。NOR受中芯轉單，旺宏、華邦電受惠；SiC題材回溫，較可行為「伺服器散熱載體」。環球晶宣稱試產 12 吋 SiC、瞄準 2026–27。操作上採保守：破線減碼、再平衡、5–7% 移動停利；選股以「題材先行、技術為輔」，對真強勢敢分批追、嚴格控風險。