股癌 EP593 筆記 2025/09/17

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股癌 EP593 筆記 2025/09/17

A. 資金輪動到「記憶體＋晶圓」：觸發—外溢—加速

• 老題材退潮 → 新主軸成形
  資金自 PCB／軍工與「老AI」撤出，快速流向記憶體（NAND／DRAM／NOR）與矽晶圓、碳化矽（SiC）。節奏很快，因此「動能部位」要跟著調整：破線或爆量跌破＝先減碼，長線題材可能走 2–3 年、途中回檔 20–30% 屬常態，心態與部位須分流。

• 因果鏈：HDD 緊→NAND 抬→DRAM 情緒點火
  美系 HDD 漲價與供應吃緊外溢到 NAND；同時 美光（Micron）「暫停報價」帶動 DRAM 氣氛。今年先看到報價上揚，真正的 NAND 供需缺口較可能在明年浮現，因此短線走勢快，市場會迅速形成共識價位。

• 台鏈實例：群聯一次「把利多丟滿」→一波到價
  群聯同時出現 8 月自結亮眼、董事長潘健成低檔加碼、公司也跟進「暫停報價」，再疊加雲端業者釋出明年 eSSD 可能有雙位數缺口的敘事；多重利多一次點火，屬「一波到價」型，待處置期過後再觀察後續走勢與定價權。

• DRAM／NOR 的「老故事新發酵」
  HBM 供不應求擠壓量產資源，DDR3／DDR4（Legacy node）出現「被動緊」情況，華邦電等轉往 DDR4、報價改善。NOR則因 中芯追求較高毛利產品（PMIC／DDI／MCU），把低毛利 NOR 產能釋出，台系（如 力積電）可望承接，旺宏、華邦電間接受惠；但中國鏈的漲勢未必完整複製到台灣，仍需觀察。

B. 矽晶圓＆SiC：從谷底到題材回溫（把「展示／量產」說清楚）

• 背景與轉折
  SiC 先前被中國擴產與補貼「玩壞」，價格一路下探，Wolfspeed(WOLF)（前 Cree）也陷入財務風暴；近期美中台 SiC 個股齊動，族群性回溫。

• 新想像：用 SiC 做伺服器散熱載體（不是 interposer）
  外界有「SiC 當 interposer」的說法，內容判斷更可行的是散熱載體（類 Carrier Silicon）：將 SiC 墊高至可接觸 heat spreader、改善 HBM 熱問題。若 SiC 價格落至甜蜜點，採用率可能提升、價格止跌甚至微漲——題材可追、但仍需後續驗證。

• 台鏈與同業動態
  環球晶對外表示已試產 12 吋 SiC並瞄準 2026–2027 量產（價格與客戶落地仍待確認）；同時矽晶圓族群也轉強，可能因記憶體復甦的聯想加分（內容提到環球晶有一定比重營收與記憶體相關）＋SiC 題材共振；日本 SUMCO動起來，形成「Si＋SiC」雙題材。

• 關鍵觀察清單
  留意 6／8 吋 SiC 價格是否止跌回穩；12 吋 SiC仍以「展示／驗證」看待，待明確量產與 ASP 才能上調評級。傳統矽晶圓端仍有高庫存包袱，去化速度需追蹤。

C. 操作與 QA：事件風險下的紀律、以及「塞車換道」的比喻

• 事件風險與部位節奏
  本週美國降息「幾乎篤定」，但未必是利多，也可能利多出盡；內容中採整體偏保守：把總部位降下來，同時把資金堆到相對強勢主流（記憶體／SiC／矽晶圓），並盯報價脈動。

• 三套出場工具（內容逐一說）

  1. 盤頭跌破：走勢不再連創高、下方「隱形底」被灌破，等幾天未站回就賣（台股常用）。

  2. 再平衡：熱門時減碼、冷時收回（如對 Tesla 的做法）。

  3. 移動停利（Trailing Stop）：創高後設 5–7% 回撤線，隨走勢上調；慢跌時可抓前一根關鍵攻擊長 K 的約 2/3 回吐當第一次減碼點。

• 強勢股的挑法（題材先行、技術為輔）
  先用大故事／自已看得懂的題材當第一道濾網（例如 AR 眼鏡，而非已成熟的手機鏈），再看技術位形（頸線突破、盤整第一根先「小試單」；若續攻再一路加碼）。心態上從只買「第一根」進化到敢追真強——即使已漲 30–50%，只要市場共識強、動能延續，仍可分批追價＋用紀律管理風險。

• 「高速公路換道」比喻 → 長期持有與分散
  在塞車時頻繁換道，常換到更慢那條；股市亦然——頻繁換股易錯過原本持股的發動點。內容中建議：對看好的公司給耐心、適度分散平滑波動，避免空手（噴出去很難買回）。

網友 QA（僅股市相關）

• 美光已漲一段，何時賣？
  看「盤頭跌破、數日不站回」；或用再平衡（熱時減碼）；或設 5–7% 的移動停利。若是「慢跌」，參考前一根關鍵長 K 的2/3 回吐先減一部分。

• 強勢股怎麼選？
  題材＞技術：先選大故事與自己懂的產業，再盯突破與動能；「第一根」易被洗，先小倉試單、確認續攻再加碼；面對真強勢，容許追價，但用嚴格紀律控風險。

📌 公司與題材對照表