財報狗 413 科林研發季報解析:NAND 設備支出 25 年成長顯著 筆記 2025/02/26

2025-02-26 findsther

科林研發 最新季報顯示營收 43.8 億美元,季增 5%,NAND Flash 設備成長 140%,超財測。成長源於海力士(321 層)、三星(400 層)推進製程,而非擴產。減產控供給與設備需求並存,因競爭與 AI 高密度需求,長江存儲(294 層)加壓。KLA 預測 2025 NAND 領跑,產業成長 5%,禁令下修 4%。短期供給穩定,年中或復甦。中期看,記憶體與封裝優於邏輯,科林研發、KLA、Applied Materials 成長性勝 ASML。

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財報狗 413 科林研發季報解析:NAND 設備支出 25 年成長顯著 筆記 2025/02/26


A. 科林研發 最新季報與記憶體市場分析

財報數據與表現

  • 科林研發 最新一季財報顯示,營收 43.8 億美元,季增 5%,Non-GAAP EPS 0.91 美元,季增 5.8%,均高於財測指引中位數。營收、毛利率與淨利皆超出預期,表現穩健。

NAND Flash 設備成長

  • 記憶體設備業務為亮點,NAND Flash 相關設備季增 140%,創 8 季新高,佔營收比重回升至 50% 以上。相較之下,邏輯設備受中國市場影響下滑,中國營收季減超 10%。

成長原因分析

  • NAND Flash 設備成長源於下游廠商推進先進製程,而非擴產。SK 海力士計劃 2025 上半年量產 321 層 NAND Flash,三星預計下半年量產 400 層,時間點與設備拉貨吻合。中國禁令(2024 年 12 月升級)結束前期拉貨潮,影響顯現。

市場展望與策略

  • 科林研發 預估 2025 年 NAND Flash 設備成長將領先 D-RAM 與邏輯設備市場,儘管禁令導致全年營收下修 7 億美元(約 4%)。若先進製程進展順利,科林研發 有望超越產業平均成長率(5%)。需關注供給控制與 AI、高容量 SSD 需求消化情況。


B. 減產與設備需求矛盾解析

現象概述

  • 下游 NAND Flash 廠商普遍減產(美光 15%、Western Digital 未公布幅度、三星與海力士縮舊產線),但上游設備需求上升,科林研發 NAND 設備季增 140%,Tokyo Electron 預測 2025 年翻倍成長。

原因分析

  • 矛盾源於減產與製程升級並存。廠商將舊產線轉向先進製程(如 321 層、400 層),需添購新設備(如 科林研發 Tenkor)。250 層以上製程難度提升,要求新材料(鎢轉鉬)與新流程(Carbon Gap Fill),產出增幅不與設備支出等比例。

供給與市場影響

  • 減產意在控制供給穩價,設備成長反映競爭需求而非產能擴張。科林研發 預測 NAND 設備 2025 年成長最強,但絕對金額仍低,去年基期偏弱。短期供給不至過剩,價格或於年中復甦。


C. NAND Flash 市場競爭與製程推進

競爭格局

  • NAND Flash 市場有五家主流廠商(三星、海力士、美光、Western Digital、Kioxia),長江存儲(YMTC)以 294 層產品追趕,層數暫領先。海力士計劃 321 層(2025 上半年),三星瞄準 400 層(下半年)。

製程推進動因

  • 成本競爭:價格持續下滑,製程升級降低單位位元成本 10-15%。
  • AI 需求:高密度 SSD(60TB 以上)需先進製程支持,搶占企業級市場。
  • 中國壓力:YMTC 技術進展刺激非中國廠商加速領先。

影響分析

  • 製程升級為防禦性支出,短期因減產與折舊增加壓縮利潤。250 層以上難度跳升,需新設備提升良率。若 AI 需求強勁,高層數產品將具優勢,量產與良率為關鍵指標。


D. 半導體設備市場展望與廠商比較

整體市場預測

  • 科林研發 預估 2025 年半導體設備市場成長 5%,禁令影響下修:科林研發 4%(7 億美元)、科磊 4%(約 4 億美元)、應用材料 1.5%(約 4 億美元)。

設備類型前景

  • 記憶體設備:NAND Flash 成長強勁,科林研發 季增 140%,TEL 預測翻倍,短期優於邏輯。
  • 邏輯設備:成熟製程下滑抵銷先進製程成長,整體平淡。
  • 曝光設備(ASML):成長性受限,台積電 2 奈米用舊款 EUV,日本 Rapitus 訂單(10 台)持續性待觀察。
  • 封裝設備:佔比 5-6%,2025 年預估翻倍,科林研發、科磊、應用材料 受益。

中期趨勢

  • 未來 3-4 年,製程重點轉向材料(鎢轉鉬)、封裝與檢測,而非曝光機。記憶體與封裝設備具成長潛力,ASML 相對保守。若台積電日本廠擴產,ASML 或有反彈。

#另外整理的新聞

Lam Research 財報分析:Aether® 技術與 WFE 爭議

Aether® 乾式光阻技術的市場反響

相關報導

  • Susquehanna(2025 年 2 月 20 日):將 Lam Research 評級從「中立」升至「正面」,目標價從 75 美元上調至 125 美元,指出 Aether® 乾式光阻技術 獲主要記憶體廠採用,支持次世代 DRAM 產能。
  • Lam Research 投資者日(2025 年 2 月 19 日):展示 Aether® 作為材料工程創新,未具體列出採用客戶。
  • Seeking Alpha(財報後評論):提及乾式光阻技術提升 DRAM 與 NAND 潛力,未單獨點名 Aether®。
  • Investing.com(2025 年 2 月 20 日):TD Cowen 雖未直接提及 Aether®,但強調 Lam 在原子層沉積(ALD)與導體蝕刻領域的市場份額增加,涵蓋 DRAM,間接支持 Susquehanna 的技術樂觀論。

DRAM 市場影響

  • 短期:DRAM 支出成長緩慢,Q2 財報(43.76 億美元)以 NAND 為主。
  • 中長期:Aether® 提升 EUV 圖案化精度,適用於次世代 DRAM(如 DDR5),可能在 2025-2028 年擴大產能,與 Podcast 短期緩慢成長觀點形成時間差異。

營收貢獻

  • 當前:Q2 未細分 Aether® 收入,NAND 主導成長。Susquehanna 與 TD Cowen 未提供直接證據顯示 Q2 已有顯著貢獻。
  • 未來:TD Cowen 預測記憶體 WFE 至 2026 年達 140 億美元,Susquehanna 看好 2025-2028 年 DRAM 增長,配合 Lam 2028 年目標(250-280 億美元),Aether® 可能逐步顯效。

WFE 成長爭議分析

爭議來源

  • Nasdaq.com(2025 年 1 月底至 2 月初):質疑 Lam 2025 年 WFE 成長預估(5-7%),若非 AI 需求放緩,可能低於 7% 或持平。
  • Investing.com(2025 年 2 月 20 日):TD Cowen 雖對 NAND WFE 保守,但仍上調目標價至 110 美元,顯示對整體前景信心。

爭議原因

  • Nasdaq:非 AI 市場(消費性電子、傳統邏輯)疲軟,中國禁令影響(Lam 下修 7 億美元),廠商資本支出保守。
  • 對比 TD Cowen:預測 NAND WFE 年增 28%(至 2026 年 140 億美元),未否定非 AI 風險,但聚焦記憶體與技術優勢。

分析立場

  • Nasdaq:中性至謹慎,歷史上偏向風險提示,2024 年曾誤判 WFE 放緩。
  • TD Cowen:強烈看多,Investing.com 報導其將 Lam 列為 2025 年首選股,與 Nasdaq 形成對比。

其他分析師觀點

  • KeyBanc(2025 年 2 月):目標價從 95 美元調至 105 美元,維持「增持」,看好技術進展。
  • 花旗:重申「買入」,目標價 87 美元,基於客戶支援業務(CSBG)預測 2028 年 CAGR 10%,收入達 2024 年 1.5 倍。
  • 新工具:Lam 推出 ALTUS Halo 和 Akara,針對 AI 晶片生產,增強競爭力,未見 Q2 財報直接影響。

#個人想法

就目前半導體大多都在跌,而且本夢比的跌最兇,應該可以抓20%~30%之間考慮在買回部份比較穩定成長的股。