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A. Hyperscaler 拉貨帶動 2025 DRAM 景氣大幅轉向
1. 2025 Q3 三大 DRAM 原廠業績全面優於預期
2025 年第三季，三大 DRAM 原廠的營運表現大幅跳升：
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SK 海力士：DRAM 營收約 19.1 兆韓元，季增 11.4%
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三星：DRAM 營收約 18–19 兆韓元，季增約 30%
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美光：DRAM 營收季增約 27%
股價自 2025 年 8 月開始即出現倍數漲幅，反映市場已提前感受到記憶體需求快速升溫。
2. Hyperscaler 大幅上修 2026–2027 AI 資本支出
2025 年 8 月開始，Hyperscaler（Amazon、Microsoft、Google、Meta 等）陸續出現強烈拉貨行為，之後從 9 月到 10 月轉為全面性需求：
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Meta：2025 年資本支出成長約 90%，並預告 2026 年成長幅度將高於 2025。
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Microsoft：原本預期 2026 會計年度資本支出放緩，但已改為重新上調並擴大建置。
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研究機構對 2026 年 Hyperscaler 資本支出的成長預估從 15% → 24% → 約 40%，一路向上修正。
Hyperscaler 的搶購焦點包括 Server DRAM、HBM，以及一般伺服器將使用的所有高階記憶體。
3. Server DRAM／HBM 擠壓消費性 DRAM 供給
高毛利產品（Server DRAM、HBM）成為主要生產優先順序，使得原本用於 PC、手機的 DRAM 產能被大量壓縮：
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消費性領域需求僅屬普通
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但因供給不足，消費性 DRAM 也出現供不應求
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報價強勢上漲，帶動 DRAM 三大原廠所有產品線在 2025 H2 皆呈現供給緊張
整體呈現「AI 伺服器優先」導致全產業鏈同步吃緊的狀態。
B. 2026 年先進製程 DRAM：供不應求下，非 HBM 動能強於 HBM
1. 2026 供給成長 15–20%，需求超過 20%
2026 年 DRAM 供需呈現明顯缺口：
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位元產出（供給）成長預估 15–20%
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需求成長可能 高於 20%
供給受限原因：
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新廠房要到 2027 年後才能開始量產
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大量晶圓被配置在 HBM，位元產出效率僅約 DDR5 的三分之一左右
因此 2026 年先進製程 DRAM（Server DRAM、HBM、LPDDR5 等）整體維持供不應求。
2. HBM 在 2026 的成長率約 40–50%
HBM 在 2025 年呈現三位數成長，但 2026 年的成長率明顯收斂：
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2026 年 HBM 成長約 40–50%
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主要原因：產能不足、製程迭代快（HBM3 → HBM3E → HBM4 → HBM5）、良率提升速度有限
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三星在 HBM3／HBM3E 採取降價搶市占策略，使 ASP 上漲幅度受壓制
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HBM4 主要搭配高階 AI 晶片，但在 2026 的滲透率僅約 30–40%
高成長仍然存在，但比 2025 明顯趨緩。
3. 非 HBM 先進 DRAM 在 2026 的成長約達 50%
先進製程中的另一大族群（Server DDR5、GDDR7、LPDDR5 等）出現非常強的成長動能：
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Hyperscaler 全面搶購完整伺服器所需的所有 DRAM，而不僅是 HBM
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價格上漲＋需求強勁，形成「量價齊升」
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2026 年非 HBM 先進製程 DRAM 的成長幅度有機會達到 約 50%
相較下：
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HBM ≈ 40–50%
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非 HBM ≈ 50%
非 HBM 的整體動能略為領先。
C. 2026 成熟製程 DRAM：上半年續強，下半年出現兩大風險
1. 2026 上半年：DDR3／DDR4 漲幅比原先預期更強
成熟製程 DRAM（DDR3／DDR4）在 2026 上半年的供給仍被高階 DRAM 擠壓：
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原本預期漲幅約 10–20%
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但因產能排擠效應強烈，實際漲幅可能提高到 20–30%
即使消費性需求缺乏明顯成長，供給緊縮仍支撐價格走強。
2. 2026 下半年風險一：高價開始傷害 PC／手機需求
記憶體價格長期上漲已經使部分下游客戶出現縮單情形：
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PC、手機、消費電子等客戶因無法掌握記憶體供貨與價格，
在 2026 上半年的晶圓代工訂單能見度大幅下降 -
若需求持續萎縮，成熟製程 DRAM 報價將遭遇反壓
這是成熟製程在 2026 下半年最直接的需求風險。
3. 2026 下半年風險二：中國長鑫存儲（CXMT）增加 DDR5／LPDDR5X 供給
中國長鑫存儲在 DDR5 世代的生產狀況逐漸改善：
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部分 LPDDR5X 型號已經量產
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更高階品項正在客戶驗證
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技術落點約在 16–17nm 左右，對中階手機、PC、消費電子足夠實用
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若在 2026 下半年順利放量，中國國內客戶可能優先採用國產 DRAM
這將對 DDR5／LPDDR5X 的市場價格形成下行壓力。