個人整理一定會有不完整或理解錯誤，請以Podcast的內容為主。
內容很多，不好消化，最好還是聽過一次
A. 美光最新季報與股價影響
- 觀察到
- 本季財報：
- 營收約 87.1 億美元，季成長 12.4%，連續 7 季成長。
- GAAP EPS 為 1.79 美元，季增 52%，高於市場普遍預估。
- 股價衝擊：
- 財報公布後股價一度下挫 16%，與原先「可能再度超標」的樂觀情緒形成強烈反差。
- 由於先前市場多預期美光本季表現可「超越」指引，實際發布結果雖不差，但更關鍵的下一季展望與市場共識落差過大，導致投資人信心鬆動。
- 原因說明
- 下季指引顯著低於共識：
- 美光給出的營收範圍為 77～81 億美元，市場原本預估約 87～89 億美元，足足低了逾 10%。
- EPS 預估落在 1.33～1.53 美元，相較上季 1.79 美元衰退約 20%。
- 主要壓力點：
- NAND Flash 消費性市場疲弱
- 企業級 SSD 拉貨暫緩
- 去庫存週期延長
- 分析
- 財報前股價漲幅頗高，利多出盡：
- 投資人押注 AI 與高階記憶體需求持續帶動美光。但財測突顯 NAND Flash 部分衰退幅度較預期更深，一旦下季營收前景不足，利多被一次「釋放完畢」，導致股價迅速回吐。
- DRAM 良好表現無法完全抵消負面：
- 雖然本季 DRAM 營收與獲利貢獻優於預期，但在市場預測下季「整體營收」皆需同步成長的基礎上，NAND 下修帶來的拖累更顯突出。
- 可能怎麼做
- 投資或策略佈局：
- 目前無明確建議或操作共識。多方強調仍應持續關注明年去庫存結束時點、企業級採購動能，以及後續法說會對資本支出的調整幅度。
B. NAND Flash 表現與消費性市場走勢
- 觀察到
- NAND Flash 出現轉弱：
- 前六季連續成長後，本季在消費性市場（PC、手機等）大幅去庫存下首度轉為下滑。
- 美光 NAND 以消費市場為主，故衝擊大於 DRAM 部分。
- 企業級 SSD 採購放緩：
- 過去三季企業級 SSD 出貨強勁，主要因伺服器端（含 AI 伺服器）大量擴張。
- 現階段客戶逐漸結束前幾季急拉貨，採購可能進入 1～2 季的空窗。
- 原因說明
- 消費性電子需求疲弱：
- PC 與手機換機潮延後，下游品牌積壓了較多 NAND 元件庫存，導致下半年不如預期。
- 2023 年初雖有回補庫存跡象，但最終需求並未真正擴張。
- 量價齊跌：
- 消費性 NAND 類產品競爭激烈，去庫存壓力加劇價格下滑，同時出貨量亦受衰退。
- 分析
- 外部環境變動快：
- 中國手機廠、全球 PC 廠的採購策略都趨於保守，去庫存時間拉長。
- 上半年回補庫存後，下半年再度去化，導致多數原廠判斷要到 2024 下半年才有明顯回升。
- 企業級 SSD 也是高波動市場：
- 伺服器客戶常集中於少數雲端大廠，採購量大且週期集中。一次大幅拉貨後，往往接著幾季停滯以消化庫存。對市占不大的美光影響更劇烈。
- 可能怎麼做
- 預期短期調整：
- 各 NAND 原廠（含美光）已宣布下修產能與資本支出，先行壓抑供給。
- 等待消費市場需求回暖，以及企業 SSD 重啟拉貨。
C. 未來展望：營收指引與去庫存時間點
- 觀察到
- 下季營收預估衰退 9.3%，EPS 衰退 20%：
- 由 87.1 億美元降至 77～81 億美元，結束連續七季營收成長。
- 反映市場對 NAND、企業 SSD 需求萎縮的擔憂。
- 去庫存延續到 2024 年中：
- 多數記憶體廠保守估計，消費性市場（PC、手機）要三到四季方能回到健康水位。
- 企業端拉貨可能也要等至年中或下半年再度積極補貨。
- 原因說明
- 消費性電子市場：
- Windows 10 停止支援（2025 年）本可帶動 PC 端大量換機，但實際執行時間延遲，未於今年下半年如預期帶起需求。
- 手機市場同樣未出現明顯新機購買熱潮，下游品牌寧願先清庫存，不冒高價風險。
- 企業或資料中心市場：
- 過去三季因 AI／HPC 投資一口氣拉高採購，但現階段有庫存壓力，短期內按兵不動，導致財測轉弱。
- 分析
- 三到四季週期：
- 依過往經驗，記憶體供應鏈常有「3 季結束去化」的慣例，但若需求爆發點延後，可能拉到 4 季乃至更多。
- 預計若一切順利，2024 年第二季～中旬有望轉折往上，並配合下半年傳統旺季，回歸正常水位。
- PC 換機潮遞延：
- Dell、HP 等歐美大廠皆稱今年下半年無明顯換機需求，可能要到 2024 年～2025 年初才逐漸浮現。
- 可能怎麼做
- 短期調整心態：
- 記憶體廠的展望皆趨保守。若去庫存符合預期，預估第二季（約 Q2~Q3）有轉好機會。
- 若企業遞延更久或消費力道不振，則須延後觀察至下半年甚至 2025 年。
D. DRAM 市場成長動能與 AI 效益
- 觀察到
- 上一季 DRAM 效益：
- DRAM 營收與毛利率整體表現符合或略優市場預期，主要因數據中心的高階需求持續強勁。
- HBM 與伺服器 DRAM（如 DDR5）快速成長，可抵銷部分 NAND 下滑衝擊。
- HBM 供不應求：
- 美光針對 2025 年 HBM 產值預測上修至 300 億美元（先前約 250 億美元），年成長可達 80～90%，看好 AI 伺服器帶動。
- 原因說明
- AI 與雲端數據中心需求：
- 近年來推動 HBM 與 DDR5 伺服器 DRAM 大幅擴張，單機記憶體容量增長，也帶來高價值、高毛利貢獻。
- 製程差距：
- DRAM 大廠（美光、海力士、三星）已推進至 1β、1γ（14～13 nm 以下），效能高、功耗低，更能匹配 AI／HPC 大算力環境。
- 良率爬升仍不易，特別是 HBM3E、HBM4 持續升級，需大量晶圓堆疊，產能緊俏。
- 分析
- 可抵消 NAND 的弱勢：
- 美光在 NAND 偏重消費，但 DRAM 偏重伺服器，加上 HBM 良率瓶頸使供給有限，提振整體獲利。
- AI 趨勢視為長期支撐點，但能否全面覆蓋 NAND 部分下滑還需持續觀察。
- 市場分歧看法：
- 部分機構（如 Morgan Stanley）擔心 2025 年後 HBM 恐供過於求，但美光態度正面，表示需求上修幅度更大，且製程難度增高，預估短期不易過剩。
- 可能怎麼做
- 積極擴充 DRAM 產能與研發：
- 美光正加大先進製程投資（1β、1γ），同步針對 HBM 與 DDR5 等高階應用。
- 未來投入更多資金與技術人力在「高堆疊」HBM 版本（如 12 stack），也可能與台積電合作 Base Die。
E. 中國市場競爭與成熟製程衝擊
- 觀察到
- 中國自產記憶體崛起：
- 長江存儲（YMTC）與長鑫存儲（CXMT）近年在 NAND、DRAM 領域快速發展，但仍以 17 nm 以上成熟製程為主，未能在高階伺服器市場形成直接威脅。
- 美光退出中國消費性市場：
- 受地緣政治與禁令影響，美光預計在 2025 年度將中國營收比重下壓至 15%，相較 2023 年的 25% 顯著下滑。
- 原因說明
- 禁令與先進設備斷供：
- 美國進一步收緊對中輸出的先進設備（EUV、部分成熟製程設備等），使中國大廠難以快速進入 1β 或更先進節點。
- 成熟製程惡性競爭：
- 對於消費性市場（DDR4、相對落後製程的 NAND）價格壓力大，大廠選擇放棄該區塊或縮減產能，改專注伺服器或高階市場。
- 分析
- 中國廠多鎖定本土需求：
- 由於禁令及國際客戶認證問題，長江存儲等大多仍聚焦中國本土品牌（手機、PC）及一般消費應用。
- 大廠策略轉移：
- 三星、海力士、美光正全力投入先進製程（1β、1γ），若地緣政治趨緊，預期中國本土市占率的中低端記憶體將繼續上升，但先進伺服器市場競爭力有限。
- 可能怎麼做
- 分散風險，加強高階占比：
- 國際大廠（美光等）縮減或退出中國消費性 DRAM / NAND 市場，加速轉向高附加價值（伺服器、車規、AI）。
- 同時持續關注中國是否加大對本土廠的保護與補貼。
F. NAND Flash 產能調控與市場重整
- 觀察到
- 主要廠商減產：
- 美光宣布下調 NAND 產量 15%，並削減 2025 年度相關資本支出。海力士、三星亦明言要減少消費性 NAND 投放，以控制庫存與價格。
- 群聯董事長潘建成也暗示凱俠年底或加入減產行列，威騰（WD）動向受關注，若全員減產幅度升高，預期供需緊平衡提早來臨。
- 手機、PC 不如預期：
- 因價格下滑與終端出貨量不振，原本回補庫存又回頭再去，整體 NAND 庫存量在 2023 Q3～Q4 有升高趨勢。
- 原因說明
- 去庫存壓力：
- PC 與手機品牌在 2023 上半年回補庫存後，發現需求上升幅度有限，只能再次去庫存。
- 企業級 SSD 客戶暫緩拉貨亦削弱成長動能。
- 短期供過於求：
- 不同原廠的出貨累積，使市場庫存偏高。唯有大規模減產才能在 2024 年中前後令供需重回平衡。
- 分析
- 需兩季以上反應：
- 記憶體減產往往要跨越現有庫存與通路庫存兩層時滯，預估至少兩季後價格、需求才同步修正。
- 若明年中前後消費回溫、企業採購重啟，將與減產帶來的供給收縮「雙重作用」，有機會引發價格和量的反轉。
- 先下後上格局：
- 下季（2024 Q1）與上半年整體仍呈偏弱或持平，若一切順利，第二季後走出谷底，第三季或迎來回補期。
- 可能怎麼做
- 大廠合力減產：
- 美光、三星、海力士等預期持續維持低產量，直到市場去庫存告一段落。
- 一旦需求真回溫，預計會迅速擴充先進製程（QLC、PLC 等），但同樣取決於市場反應。
G. 半導體設備與資本支出評估
- 觀察到
- NAND 與 DRAM 走向分化：
- NAND：減產、下修資本支出，設備需求縮水。
- DRAM：因 AI、HPC 帶動，先進製程擴充較積極，但建廠土建成本占比高，設備金額增幅未必有想像中大。
- 新禁令衝擊：
- 美國進一步限制對中輸出先進暨部分成熟製程設備，抑制中國訂單。同時外商也擔心被列入實體清單，採購更謹慎。
- 原因說明
- 美光 CapEx 推估：
- 2025 年度資本支出約 140 億美元，相當於營收的 40%。若營收達 360 億美元，較 2024 年約 250 億美元成長 44%。
- 但細分後，有相當比重用於廠房興建（如無塵室、基礎設施），未必全部轉化成「設備」大單。
- DRAM 擴充有利設備，但能見度不高：
- HBM、DDR5 等高階製程的確需要新一代蝕刻、鍍膜、檢測設備；不過各廠投資可能分批進行。
- 分析
- 整體設備成長緩於預期：
- 原預估 2024～2025 年因 AI 需求出現高雙位數成長，如今看來可能降至個位數。
- NAND 負面影響、禁令限制中國訂單占比、三星／Intel 等大廠擴產意願放緩，是重要變數。
- EUV / DUV 需求強弱：
- DRAM 先進製程也需導入 EUV，但在 1β、1γ 階段產能有限，建廠期長。加之各廠加速停止成熟製程投資，恐造成特定機台需求放緩。
- 可能怎麼做
- 廠商分散佈局：
- 應用材料 (AMAT)、科林研發 (LAM)、KLA、ASML 等大廠正密切關注中國訂單風向與大廠 CapEx 進度，調整產能配置。
- 若 HBM、DDR5 需求持續火熱，可抵消部份 NAND 設備衰退。但中國買氣的萎縮仍是長期隱憂，未來成長曲線趨於保守。